Perusahaan teknologi Samsung dilaporkan tengah mengembangkan RAM kencang berteknologi High Bandwidth Memory (HBM) untuk smartphone maupun tablet. Langkah ini diambil karena perangkat mobile kini juga dituntut menjalankan tugas berbasis kecerdasan buatan atau artificial intelligence (AI).
Teknologi HBM menawarkan kecepatan yang lebih tinggi dan lebih hemat daya ketimbang RAM tradisional. Seperti dikutip dari Tekno, teknologi ini umumnya digunakan pada server atau GPU kelas atas guna memproses tugas komputasi yang berat.
Pengembangan ini ditempuh Samsung demi meningkatkan kinerja perangkat mobile menjadi gawai AI yang canggih. Secara teknis, DRAM tradisional yang dipasang di smartphone atau tablet saat ini masih menggunakan pengikat kawat tembaga atau copper wire bonding.
Metode pengikatan kawat tembaga tradisional memiliki keterbatasan jumlah jalur input-output (I/O). Dampaknya, efisiensi transfer data serta pengendalian panas pada perangkat menjadi kurang optimal.
Untuk mengatasi kendala tersebut, Samsung konon akan memakai teknologi Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP). Metode pengemasan chip ini merupakan teknologi yang juga digunakan pada chipset seperti Exynos 2600.
Teknologi FOWLP dinilai dapat membantu meningkatkan ketahanan panas perangkat. Selain itu, metode ini mampu menjaga performa gawai tetap stabil saat menjalankan beban kerja berat, termasuk pemrosesan AI.
Arsitektur Chip Bertingkat Berteknologi VCS
Samsung juga mengembangkan teknologi bernama Vertical Copper Post Stack (VCS). Lewat metode VCS, chip DRAM disusun bertingkat seperti tangga dan dihubungkan menggunakan pilar tembaga berukuran sangat kecil.
Pendekatan arsitektur tersebut memungkinkan Samsung meningkatkan bandwidth memori secara signifikan. Teknologi ini menjadi solusi tepat di tengah ruang bagian dalam smartphone yang sangat terbatas.
Laporan ETNews menunjukkan bahwa rasio tinggi pilar tembaga dalam teknologi VCS meningkat drastis. Rasionya melonjak dari sebelumnya sekitar 3-5:1 menjadi 15-20:1.
Selain itu, penggunaan FOWLP diklaim dapat meningkatkan jumlah terminal I/O. Penerapan metode pengemasan ini mampu mendongkrak bandwidth hingga 30 persen lebih tinggi.
Tantangan Produksi dan Adopsi Kompetitor
Meski terdengar menjanjikan, teknologi ini juga menghadirkan tantangan baru dalam proses manufaktur. Pilar tembaga yang terlalu kecil berisiko bengkok atau bahkan patah jika diameternya di bawah 10 mikrometer.
Karena itu, Samsung memanfaatkan FOWLP untuk memperkuat struktur chip. Langkah penguatan dilakukan dengan memperluas jalur kabel tembaga ke area luar.
Belum diketahui kapan HBM versi mobile ini akan debut secara resmi di pasaran. Namun, teknologi memori tersebut diperkirakan bisa muncul di chipset Samsung generasi mendatang, seperti Exynos 2800 atau Exynos 2900.
Di sisi lain, Apple juga dikabarkan tengah mengeksplorasi penggunaan HBM untuk iPhone di masa depan. Begitu pula dengan Huawei yang dilaporkan tertarik, tetapi masih berada dalam tahap penelitian.
Penggunaan HBM di smartphone diperkirakan belum akan hadir dalam waktu dekat karena harga RAM mobile tersebut saat ini masih tinggi. Peningkatan kemampuan AI di smartphone beberapa tahun ke depan kemungkinan masih akan lebih bergantung pada chipset dan penyimpanan internal.
